雪球20260817 我理解的存储和兆易创新

存储行情现状

当前存储芯片行业处于涨价周期，市场交易预期而非交易现实。前期存储价格涨幅较大，涨价最快的趋势已结束，板块迎来一轮调整。存储周期行情分化明显，高端AI存储如HBM、服务器DRAM依旧需求旺盛，订单排至2027年；消费级普通存储需求已经走软，这是当下行业的核心矛盾。

兆易创新上涨逻辑

兆易创新作为A股存储设计龙头，此轮上涨并非AI直接带动，核心驱动是填补DDR4产能供给缺口。三星、海力士、美光三大原厂将核心产能转向高端产品，DDR4等老产品产能缩减，形成巨大供给真空，兆易创新抓住机遇填补缺口，带动各产品线涨价。利基DRAM价格从2025年初的1.35美元涨至2026年5月的13美元，涨幅超8倍；SLC NAND上半年累计涨价130%-150%，供给缺口大于DRAM；Nor Flash涨价超100%；MCU于2026年二季度才启动涨价。整体来看，一季度为涨价启动期，二季度是全面兑现期，三季度开始涨价斜率逐步放缓。

兆易创新估值对比

当前兆易创新TTM市盈率约98倍，按2027年利润计算远期市盈率约30倍，相较于SK海力士、美光，估值明显更高。不同市场定价逻辑不同，A股给兆易创新稀缺性估值溢价，全市场仅存这一成型存储芯片设计龙头；韩股存在流动性折价，估值天然偏低；美股将存储归为周期股定价，市盈率处于中间区间。兆易创新的高估值隐含了涨价持续、利润继续上行的高预期，若预期被打破，估值将会重构。

兆易创新走势参考

近期兆易创新调整后反弹较慢，可对标同行企业华邦电。二者是市面少有的同时布局Nor Flash、SLC NAND、利基DRAM及逻辑芯片的企业，华邦电在Nor Flash领域市占率全球第一，兆易创新位居第二，二者在SLC NAND和利基DRAM领域为直接竞争对手。历史走势中华邦电的顶底变化往往领先兆易创新，可作为模糊参考。

未来风险与投资提示

需关注兆易创新的多项业绩风险：一是涨价斜率已经放缓，涨价最迅猛的阶段已经过去；二是二季度DRAM和NAND库存有所增加，供需最紧张的时刻可能已经过去，若库存拐点确认，周期性质将会改变；三是2027年-2028年三大原厂扩产产能将逐步释放，若原厂转回DDR4生产，供给真空逻辑将会破局。但至少到2027年中，海外大厂产能无法快速调整，窗口期依然存在。
存储行业周期性明显，每隔三四年就会出现一轮暴涨暴跌，当前处于利润、涨价、情绪的高点，分歧也最大。当前阶段赚业绩的钱更容易，赚估值扩张的钱难度较大；持仓者需关注三季度、四季度的涨价幅度与库存数据，连续低于预期需警惕；欲入场者不宜追高，可等待市场情绪充分释放后再决策。以上内容不构成投资建议，股市有风险，入市需谨慎。