中国建成SSMB-EUV“光刻厂”，弯道超车？

近期，关于“中国建成SSMB-EUV光刻厂”的传闻引发热议。该消息称清华大学研发的稳态微聚束加速器光源技术（SSMB-EUV）已在雄安建成“光刻厂”，可绕过阿斯麦（ASML）光刻机断供问题，甚至生产1纳米芯片。传闻配以卫星图片，显示北京怀柔雁栖湖畔由圆形和三角形建筑组成的中国科学院高能同步辐射光源（HEPS）项目，被误认为是“光刻厂”。
中国电子工程设计院通过微信公众号辟谣，明确HEPS是用于科研的高能同步辐射光源装置，而非光刻机工厂。该项目是国家“十三五”规划立项的科学设施，通过电子束加速产生同步辐射光，用于微观物质研究，与芯片制造无直接关联。相关卫星图片早在2019年建设初期已公开，百度地图亦可查证。
谣言起源于9月11日某微博用户帖文，后被加工成“光刻厂”方案，称中国通过超大型光源基础设施替代小型化光刻机。随后自媒体将帖文与卫星图结合，制作短视频传播，并虚构“央视将播报5纳米光刻机突破”等不实信息。尽管多方辟谣，部分投资者仍受误导，导致半导体板块股价波动。
此外，围绕华为芯片的传言频发，包括“麒麟9000S由青岛新恩代工”等猜测。华为已要求平台下架不实内容，并否认“麒麟9100芯片”存在。分析指出，芯片制造遵循摩尔定律技术迭代规律，中芯国际七纳米技术已被第三方拆解报告验证，所谓“力大飞砖”式突破缺乏科学依据。谣言传播现象反映公众对技术突破的期待，但也凸显信息溯源与核实的必要性。