复旦大学团队研制出最快半导体电荷存储器件

复旦大学研究团队成功研制出全球最快的半导体电荷存储器件——“破晓皮秒闪存器件”，其擦写速度达到四百皮秒，每秒可完成25亿次操作，相关成果发表于国际期刊《自然》。该技术突破了传统闪存速度瓶颈，为人工智能等高速计算场景提供了关键支持。
研究团队基于全新存储原理，提出“超注入”机制，结合二维材料的特殊性质与电子运动规律，实现电子快速注入存储层。传统闪存依赖阶梯式能量爬升，而新机制通过类似“火箭推进”的物理创新，消除了速度限制，显著提升存储效率。
在应用层面，该技术可解决AI大模型对高速存储的迫切需求。当前主流闪存每秒仅支持万次操作，而“破晓闪存”可满足每秒上亿次操作，同时降低手机等设备的功耗。其高速、大容量特性有望重构存储框架，优化数据搬运效率。
团队透露，技术产业化分为三阶段：三年内通过中试线形成初步产品，逐步替代现有闪存技术，最终推动人工智能加速与存储产业变革。首阶段目标瞄准取代广泛应用的传统闪存（如NAND Flash），抢占高速存储市场先机。